Виталий Алексеевич Школдин
Ученая степень
PhD
Основная должность
Основная должность
Research Engineer
Должность
- Engineer
Мобильный телефон
+7 921 976 39 16
Email
v@al404.spb.ru
vitaliy.shkoldin@metalab.ifmo.ru
Дата рождения
Адрес офиса
Россия, Ломоносова, 9, "Phoenix",
ORCID
Номер автора ORCID
0000-0002-1014-5401
Researcher ID
Researcher ID в базе данных Web of Science
A-8736-2014
Scopus Author ID
Номер автора в базе данных Scopus
57204576441
Ссылка на профиль в Google Scholar
Персональная страница
CV
Образование
Сентябрь
2017
-
Август
2021
Учебное заведение
Академический университет им. Ж.И. Алфёрова
Профессиональная область
Физика полупроводников
Полученное звание
Исследователь
Тезис
Исследование процессов возбуждения оптического излучения из туннельного контакта с локализованной плазмонной наноантенной
Сентябрь
2015
-
Август
2017
Учебное заведение
Санкт-Петербургский Политехнический Университет им. Петра Великого
Профессиональная область
Электроника и наноэлектроника
Полученное звание
Магистр
Тезис
Изучение дефектов SiC имплантированного высокоэнергетическими ионами висмута
Сентябрь
2011
-
Август
2015
Учебное заведение
Санкт-Петербургский Политехнический Университет им. Петра Великого
Профессиональная область
Электроника и наноэлектроника
Полученное звание
Бакалавр
Тезис
Исследование полупроводниковых структур по глубине методом катодолюминесценции
Опыт работы
Сентябрь
2017
-
настоящее время
Место работы
Университет ИТМО
Должность
инженер
Июнь
2017
-
Октябрь
2022
Место работы
Академический университет им. Ж.И. Алфёрова
Профессиональная область
Лаборатория возобновляемых источников энергии
Июнь
2013
-
Май
2017
Место работы
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
Профессиональная область
Лаборатория Диффузии и дефектообразования в полупроводниках. Исследование дефектообразования методом локальной катодолюминесценции полупроводниковых структур на основе SiC
Награды и премии
2022
Победитель конкурса грантов Комитета по науке и высшей школе Санкт-Петербурга
По теме: Создание гибридных Si/Au источников оптического излучения на основе туннельного контакта методом СТМ-литографии для интегральной оптики
По теме: Создание гибридных Si/Au источников оптического излучения на основе туннельного контакта методом СТМ-литографии для интегральной оптики
2022
Стипендия Президента молодым ученым и аспирантам (2022-2024)
2021
Победитель конкурса грантов Комитета по науке и высшей школе Санкт-Петербурга
2019
Победа в конкурсе на лучшие проекты фундаментальных научных исследований, выполняемые молодыми учеными, обучающимися в аспирантуре («Аспиранты»)
2019
Победа в конкурсе поддержки коммерчески ориентированных научно-технических проектов молодых ученых "УМНИК-2019"
2016
Субсидия за Проект научно-технического исследования Изучение дефектов SiC имплантированного высокоэнергетическими ионами висмута, Конкурс грантов для студентов вузов, расположенных на территории Санкт-Петербурга, аспирантов вузов, отраслевых и академических институтов, расположенных на территории Санкт-Петербурга
Профессиональные интересы
Статьи
Impact Factor
Scientific Journal Ranking
2022
17.
[DOI:
10.1016/j.photonics.2022.101081
]
[
IF:
3.008
, SJR:
0.553
]
16.
[DOI:
10.1021/acs.jpclett.2c00986
]
[
IF:
6.710
, SJR:
2.976
]
2021
15.
[DOI:
10.1088/1742-6596/2086/1/012026
]
[
SJR:
0.210
]
14.
[DOI:
10.1021/acsanm.1c02558
]
[
IF:
6.140
, SJR:
1.178
]
2020
13.
[DOI:
10.1021/acs.jpclett.0c03039
]
[
IF:
6.710
, SJR:
2.976
, NI:
0.4
]
12.
[DOI:
10.1063/5.0032068
]
[
SJR:
0.190
]
2019
11.
[DOI:
10.1088/1742-6596/1410/1/012141
]
[
SJR:
0.210
]
10.
[DOI:
10.18358/np-29-4-i5761
]
9.
[DOI:
10.1002/pssr.201900607
]
[
IF:
3.729
, SJR:
1.031
]
8.
[DOI:
10.1021/acs.nanolett.9b02540
]
[
IF:
11.238
, SJR:
5.786
, NI:
0.27
]
7.
[DOI:
10.1088/1742-6596/1199/1/012005
]
[
SJR:
0.221
]
6.
[DOI:
10.1021/acs.jpcc.8b11271
]
[
IF:
4.189
, SJR:
1.477
]
5.
[DOI:
10.1134/S106378261816008X
]
[
IF:
0.641
, SJR:
0.298
]
4.
[DOI:
10.1088/1742-6596/1124/4/041018
]
[
SJR:
0.221
]
3.
[DOI:
10.1134/S1063782618160054
]
[
IF:
0.641
, SJR:
0.298
]
2018
2.
[DOI:
10.1088/1742-6596/1092/1/012013
]
[
SJR:
0.241
]
2015
1.
Investigation of heterostructures 3C-SiC/15R- SiC
,
pp.
60-64
,
2015
[DOI:
10.17586/2226-1494-2015-15-1-60-64
]
Курсы отсутствуют.
Патенты отсутствуют
Новости отсутствуют.