Гибридная металлодиэлектрическая нанофотоника

Технологический прогресс современных устройств стремится к миниатюризации используемых систем и переходу от электрических сигналов к оптическим, поскольку электронные устройства обработки информации достигли своих фундаментальных пределов. Это привело к созданию концепции интегрально-оптических чипов, представляющих собой многокомпонентное фотонное устройство на единой подложке. Путь от электронного чипа к оптическому заключается в поэтапной замене электронных компонент на оптические аналоги для достижения новых рекордов скорости обработки-передачи информации и новых возможностей хранения-защиты информации.

Все успехи и знания, собранные при разработке передового устройства будущего, образовали такое научное направление, как гибридная нанофотоника, которая исследует процессы взаимодействия фотонов с материалами, обладающих характерными размерами 1–100 нанометров. Суть данного направления заключается в объединении преимуществ металлов и материалов с высоким показателем преломления (диэлектрики и полупроводники) в единой наноструктуре. Это дает большую степень свободы при настройке свойств оптических устройств, а также при получении новых перспективных пассивных и активных компонент интегрально-оптических чипов.