Journal: Materials Science in Semiconductor Processing

Short name
MAT SCI SEMICON
IF
3.93
SJR
0.70
Показатели журнала
IF
4.644
SJR
0.687
Год
2021
Квартиль
Q2
IF
3.927
SJR
0.695
Год
2020
Квартиль
Q2
IF
3.085
SJR
0.665
Год
2019
Квартиль
Q2
IF
2.722
SJR
0.633
Год
2018
Квартиль
Q2
IF
2.593
SJR
0.634
Год
2017
Квартиль
Q2
IF
2.359
SJR
0.637
Год
2016
Квартиль
Q2
IF
2.264
SJR
0.552
Год
2015
Квартиль
Q2
IF
1.955
SJR
0.554
Год
2014
Квартиль
Q2
IF
1.761
SJR
0.470
Год
2013
Квартиль
Q2
IF
1.338
SJR
0.443
Год
2012
Квартиль
Q2
IF
0.753
SJR
0.430
Год
2011
Квартиль
Q3
IF
0.650
SJR
0.401
Год
2010
Квартиль
Q3

Papers

Impact Factor

Scientific Journal Ranking

2023

3.
Plasmonic disordered array of hemispherical AgNPs on SiO2/C-Si: Their optical and SERS properties
Anna Ermina
Nikolay Solodovchenko
Vladimir S. Levitskii
Nadejda A. Belskaya
Sergey I. Pavlov
Vladimir O. Bolshakov
Vladimir A. Tolmachev
Yuliya A. Zharova
Materials Science in Semiconductor Processing
 , vol.
169
 , pp.
107861
 , 2023
[DOI:
10.1016/j.mssp.2023.107861
 ] [ IF:
3.927
 , SJR:
0.695
 ]

2019

2.
Study of SiC buffer layer thickness influence on photovoltaic properties of n-GaN NWs/SiC/p-Si heterostructure
K.Y. Shugurov
R.R. Reznik
Alexey Mozharov
K.P. Kotlyar
O.Y. Koval
A.V. Osipov
V.V. Fedorov
I.V. Shtrom
Alexey Bolshakov
S.A. Kukushkin
Ivan Mukhin
G.E. Cirlin
Materials Science in Semiconductor Processing
 , vol.
90
 , pp.
20-25
 , 2019
[DOI:
10.1016/j.mssp.2018.09.024
 ] [ IF:
3.085
 , SJR:
0.665
 ]

2016

1.
Electron beam induced current microscopy investigation of GaN nanowire arrays grown on Si substrates
V. Neplokh
A. Ali
Julien F. H.
M. Foldyna
Ivan Mukhin
G. Cirlin
Jean_Christophe Harm
Gogneau Noelle
Maria Tchernycheva
Materials Science in Semiconductor Processing
 , vol.
55
 , pp.
72–78
 , 2016
[DOI:
10.1016/j.mssp.2016.03.002
 ] [ IF:
2.359
 , SJR:
0.637
 ]