В работе на основе единой модели рассмотрены плазмонные эффекты в двух различных системах. В первой части работы спектроскопические проявления плазмонных эффектов были теоретически исследованы в сотрудничестве с экспериментаторами, впервые наблюдавшими эти эффекты в спектроскопии анизотропного отражения. Произведено моделирование спектров анизотропного отражения массива частиц индия на поверхности арсенида индия. Продемонстрировано хорошее согласие с экспериментальными спектрами. Во второй части для систем фотовольтаики исследованы оптимальные условия усиления генерации носителей в системах полупроводник-металлическая частица. Приведены результаты моделирования распределения поля плотности электромагнитного поглощения в кремнии в присутствии приповерхностной серебряной частицы. Произведены оценки коэффициента усиления.