В докладе обсуждаются результаты исследований спектров излучения полупроводниковых наноструктур с квантовыми точками и квантовами проволоками методом ближнепролевой оптической микроскопии с пространственным разрешением превышающим дифракционный предел. Эксперимерты проводились в температурном диапазоне 5-300 К, в магнитных полях до 10 Т, с временным разрешением 5 пикосекунд и с пространственным разрешением до 40 нм. С использоваием широкого класса материалов - InAs/GaAs , InAs/AlAs, InP/GaInP, InGaN, GaAs(In,Sb)N, CdSe, CdTe/ZnTe продемонстрированы возможности ближнеполевой оптической микроскопи для измерения излучательных и структурных характеристик одиночных квантовых точек и квантовых проволок. Показано использование ближнепролевой оптической микроскопии для измерения оптических полей в микрорезонторах и для исследования локализации электронов в Вигнеровских молекулах.