Создание полупроводниковых приборов и устройств – сложная технологическая задача, которая включает множество разнообразных процессов и может быть разбита на два основных этапа: синтез структуры и постростовая обработка. На первом этапе привлекаются ростовые методики, среди которых широкое распространение получила молекулярно-пучковая эпитаксия. Этот метод позволяет создавать полупроводниковые материалы различного химического состава и геометрии, открывая широкие возможности, как для исследовательских работ, так и для синтеза приборных гетероструктур. В первой части курса мы рассказываем об основных видах полупроводниковых соединений, методах их синтеза, особенно подробно обсуждая метод молекулярно-пучковой эпитаксии. Знакомимся с особенностями ростового процесса, влиянии условий на формирование кристаллов, их функциональные свойства, а также обсуждаем применение полупроводниковых материалов и перспективы развития полупроводниковой техники. Вторая часть курса посвящена планарным технологиям и методам постростовой обработки гетероструктур. Особое внимание уделяется вопросам оптической, электронной и ионной литографий, методам осаждения тонких слоев металлов, полупроводников и диэлектриков, а также подходам сухого травления материалов. Рассматривается технологическая карта создания Si транзисторных структур с точки зрения планарных технологий.