Оптическое определение магнитного резонанса

Метод оптического детектирования магнитного резонанса (ОДМР) представляет собой комбинацию электронный парамагнитный резонанс (ЭПР) и  фотолюминесценции (ФЛ). С момента своего первого применения для возбужденного состояния атомов ртути в 1952 году методика ОДМР широко применялась для исследования возбужденных состояний твердых тел, в частности, для получения детальной микроскопической информации о дефектах, а также процессов рекомбинации в полупроводниках. С недавними быстрыми изменениями в полупроводниковых тонких пленках и наноструктурах методика ОДМР привлекла все большее внимание, поскольку традиционная техника ЭПР не справилась с задачей значительно уменьшающегося числа спинов в новых материалах.

Метод ОДМР может быть применен для локального высокоточного измерения температуры, определения постоянных и переменных электромагнитных полей с помощью дефектов в алмазах, например NV-центров, и в последствие построение на основе этих дефектов различных датчиков и устройств.