a) Представляются данные по сканирующей ближнепольной оптической микроскопии (СБОМ) квантовых точек (КТ) InGaP/GaP разрешением лучше 100 нм при лазерном возбуждении через апертуру в кантилевере на длине волны 473 нм и регистрации пиков люминесценции через эту же апертуру. Рассмотрены как КТ в планарных структурах, так и в микрорезонаторах. Показана перспективность таких структур для тестирования СБОМ.
b) Определено распределение излучения мощного инжекционного лазера в ближней зоне, на его зеркале, и на переходе в дальнюю зону, при удалении от зеркала. Проведено моделирование распространяющихся мод лазера, достигнуто согласие с экспериментом, уточнена конфигурация поперечных мод лазера (соотношение амплитуд электрического поля и запаздывание по фазе).